رشد تک بلور پیزوالکتریک KDP
Authors
Abstract:
The piezoelectric crystals conven mechanical energy inlo clcclrical energy and vice versa. This propeny has many applications in science and technology. In this paper we reporl the growth of KDP single crystal OUI of a super-saturated KDP liquid by controling the temperature and the pH. We studied the effect of the variation of the pH and temperature on the KDP single crystal. We found that the best pH range is 4.5 In 5.2, and also that the mOSl appropriate temperature range is 25°C to 30"C.
similar resources
رشد بلور KDP در محلول آبی با افزودنی EDTA
Addition of EDTA to the KDP solution is an effective method to increase the stability zone and the crystal growth rate. EDTA neutralizes the chemical activity of metal ions impurity such as Al+3, Fe+3, Cr+3 (that exist in the chemical materials as impurity). Effect of Al+3, Fe+3, Cr+3 ions on the KDP crystal is investigated. Growth method was based on the “point seed” method following spontaneo...
full textرشد سریع بلور KDP به روش انتقال محلول اشباع شده در دما وحالت فوق اشباع ثابت
بلورهای KDP به روش انتقال محلول اشباع شده در دما وحالت فوق اشباع ثابت با سرعت بالا
full textبررسی رشد بلور KDP تحت تأثیر یون‌های فلزی به ویژه +3Al
Effect of Al3+ ions on the optical quality, growth rate, shape, and structure of potassium dihydrogen phosphate (KDP) crystal was investigated. Growth method was based on the “point seed” method in a solution with optimum concentration, following spontaneous growth at room temperature. FTIR spectrum showed neutralization of O-H group in KDP crystal by Al3+ ions. UV-Visible spectrum of the cryst...
full textبررسی رشد بلور kdp تحت تأثیر یون های فلزی به ویژه +۳al
تأثیر یون های فلزی +3al بر روی کیفیت اپتیکی، سرعت رشد، شکل و ساختار بلور پتاسیم دی هیدروژن فسفات (kdp) مورد بررسی قرار گرفت. بلورها به روش بلور دانه گذاری در محلول با غلظت معین و رشد خود به خودی در دمای اتاق تهیه شدند. بررسی طیف ftir حاکی از خنثی سازی گسترده گروه o-h وابسته به بلور kdp توسط یون های +3al می باشد. طیف uv-visible بلور حاوی ناخالصی +3al افزایش ناخواسته جذب در ناحیه فرابنفش nm300-20...
full textشبیه سازی رشد تک بلور BGO بوسیله روش ارتقاء یافته چُکرالسکی با گرادیان دمای پایین
در این مقاله میدان دما و جریان شاره در طی مراحل مختلف رشد تک بلور BGO به روش چُکرالسکی با گرادیان دمای پایین و استفاده از سیستم گرمایش مقاومتی شبیه سازی و کیفیت بلور رشد یافته با استفاده از تنش گرمایی ایجاد شده در آن، در ارتفاع های مختلف بررسی شده است. پیکربندی سامانه رشد استفاده شده در سیستم مورد مطالعه مطابق یا یک سیستم واقعی در آزمایشگاه و شامل یک لوله سرامیکی استوانه ای، محافظ گرمایی و سه من...
full textرشد تک بلور نیمرساناهای دوتایی PbSe, PbTe, CdSe, CdTe و تعیین پارامترهای ساختاری و الکتریکی آنها
Si ng le c rys t als o f bin a ry semico ndu c to rs CdTc,CdSe. PhTe and PbSe were grown by sublimat ion and condensa tion techniq ues usi ng argon as the carri e r gas. Powder X-ray di ffractomet ry as wel l as La ue mClhod wcre employed fo r the stru ct ura l a na lysis. By usi ng Ha ll techniq ue. the de nsity and polarity of charge car rie rs we re de te rmined in single crysta ls. Pb...
full textMy Resources
Journal title
volume 3 issue 1
pages 31- 36
publication date 1995-04
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
No Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023